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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IXTA1R6N100D2HV |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tj) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 800mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 10V |
FET-Eigenschaft | Depletion Mode |
Verlustleistung (Max) | 100W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-263HV |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |