Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IXFV96N20P |
---|---|
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 96A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 600W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 500mA, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PLUS220 |
Paket / Fall | TO-220-3, Short Tab |