IXFT30N85XHV

MOSFET N-CH 850V 30A TO268-3
IXFT30N85XHV P1
IXFT30N85XHV P1
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IXYS ~ IXFT30N85XHV

Artikelnummer
IXFT30N85XHV
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 850V 30A TO268-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXFT30N85XHV.pdf IXFT30N85XHV PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXFT30N85XHV
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 850V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2460pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 695W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268 (IXFT)
Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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