IXFE34N100

MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
IXFE34N100 P1
IXFE34N100 P1
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IXYS ~ IXFE34N100

Artikelnummer
IXFE34N100
Hersteller
IXYS
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS227
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXFE34N100.pdf IXFE34N100 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IXFE34N100
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 1000V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 30A
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 455nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15000pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 580W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 17A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC

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