IXBN75N170

IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B
IXBN75N170 P1
IXBN75N170 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

IXYS ~ IXBN75N170

Artikelnummer
IXBN75N170
Hersteller
IXYS
Beschreibung
IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IXBN75N170.pdf IXBN75N170 PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer IXBN75N170
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 145A
Leistung max 625W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 75A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 25µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.93nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC
Lieferantengerätepaket SOT-227B

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