IS43DR16160B-3DBI-TR

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
IS43DR16160B-3DBI-TR P1
IS43DR16160B-3DBI-TR P1
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ~ IS43DR16160B-3DBI-TR

Artikelnummer
IS43DR16160B-3DBI-TR
Hersteller
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Artikelnummer IS43DR16160B-3DBI-TR
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR2
Speichergröße 256Mb (16M x 16)
Taktfrequenz 333MHz
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 15ns
Zugriffszeit 450ps
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 84-TFBGA
Lieferantengerätepaket 84-TWBGA (8x12.5)

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