IS41C16256C-35TLI-TR

IC DRAM 4MBIT 35NS 40TSOP
IS41C16256C-35TLI-TR P1
IS41C16256C-35TLI-TR P1
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ~ IS41C16256C-35TLI-TR

Artikelnummer
IS41C16256C-35TLI-TR
Hersteller
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Beschreibung
IC DRAM 4MBIT 35NS 40TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer IS41C16256C-35TLI-TR
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie DRAM - EDO
Speichergröße 4Mb (256K x 16)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 18ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 4.5 V ~ 5.5 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 40 Leads
Lieferantengerätepaket 40-TSOP

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