71V256S10YG

IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ
71V256S10YG P1
71V256S10YG P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

IDT, Integrated Device Technology Inc ~ 71V256S10YG

Artikelnummer
71V256S10YG
Hersteller
IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung
IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer 71V256S10YG
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Asynchronous
Speichergröße 256Kb (32K x 8)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 10ns
Zugriffszeit 10ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3 V ~ 3.6 V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
Lieferantengerätepaket 28-SOJ

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