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IDT, Integrated Device Technology Inc ~ 70V657S12DRI

Artikelnummer	70V657S12DRI
Teilstatus	Active
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	SRAM
Technologie	SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße	1.125Mb (32K x 36)
Taktfrequenz	-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	12ns
Zugriffszeit	12ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	3.15 V ~ 3.45 V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	208-BFQFP
Lieferantengerätepaket	208-PQFP (28x28)

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
70V631S10BC	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 256CABGA		0	Einzelheiten
70V631S10BC8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 256CABGA		0	Einzelheiten
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70V631S10BF	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 208CABGA		0	Einzelheiten
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70V631S10BFG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 208CABGA		0	Einzelheiten
70V631S10BFG8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 208CABGA		0	Einzelheiten
70V631S10PRF	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP	-	19239	Einzelheiten
70V631S10PRF8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 128TQFP		0	Einzelheiten
70V631S10PRFG	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5MBIT 10NS 128TQFP		114	Einzelheiten
70V631S10PRFG8	IDT, Integrated Device Technology Inc	IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP	-	11830	Einzelheiten