70V3579S6BCI8

IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256CABGA
70V3579S6BCI8 P1
70V3579S6BCI8 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

IDT, Integrated Device Technology Inc ~ 70V3579S6BCI8

Artikelnummer
70V3579S6BCI8
Hersteller
IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung
IC SRAM 1.125MBIT 6NS 256CABGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer 70V3579S6BCI8
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Dual Port, Synchronous
Speichergröße 1.125Mb (32K x 36)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite -
Zugriffszeit 6ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 3.15 V ~ 3.45 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 256-LBGA
Lieferantengerätepaket 256-CABGA (17x17)

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