70T651S10BFI

IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA
70T651S10BFI P1
70T651S10BFI P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

IDT, Integrated Device Technology Inc ~ 70T651S10BFI

Artikelnummer
70T651S10BFI
Hersteller
IDT, Integrated Device Technology Inc
Beschreibung
IC SRAM 9MBIT 10NS 208CABGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Speicher
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Produktparameter

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Artikelnummer 70T651S10BFI
Teilstatus Active
Speichertyp Volatile
Speicherformat SRAM
Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous
Speichergröße 9Mb (256K x 36)
Taktfrequenz -
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite 10ns
Zugriffszeit 10ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 2.4 V ~ 2.6 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 208-LFBGA
Lieferantengerätepaket 208-CABGA (15x15)

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