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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SPS03N60C3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 135µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 38W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO251-3 |
| Paket / Fall | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SPS01N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3 | 0 | Einzelheiten | |
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SPS02N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3 | 0 | Einzelheiten | |
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SPS02N60C3BKMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | 0 | Einzelheiten | |
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SPS03N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3 | - | 6961 | Einzelheiten |
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SPS03N60C3BKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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SPS04N60C3BKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3 | 0 | Einzelheiten |