SPP80P06PHXKSA1

MOSFET P-CH 60V 80A TO-220
SPP80P06PHXKSA1 P1
SPP80P06PHXKSA1 P1
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Infineon Technologies ~ SPP80P06PHXKSA1

Artikelnummer
SPP80P06PHXKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET P-CH 60V 80A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer SPP80P06PHXKSA1
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 64A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5.5mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 173nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5033pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 340W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3-1
Paket / Fall TO-220-3

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