Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SPP08P06PBKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 420pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 42W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 6.2A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO-220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPP08N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB | 197 | Einzelheiten | |
 |
SPP08N80C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB | - | 676 | Einzelheiten |
 |
SPP08N80C3XK | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB | - | 6837 | Einzelheiten |
 |
SPP08N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB | - | 25233 | Einzelheiten |
 |
SPP08P06PBKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB | 0 | Einzelheiten | |
 |
SPP08P06PHXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220 | - | 1505 | Einzelheiten |