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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SPI80N03S2L-06 |
|---|---|
| Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 80µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2530pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 150W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 80A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO262-3-1 |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SPI80N03S2-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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SPI80N03S2L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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SPI80N03S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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SPI80N03S2L-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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SPI80N06S2-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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