Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SPI11N65C3XKSA1 |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 500µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 125W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 7A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | PG-TO262-3-1 |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |