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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SPD25N06S2-40 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 26µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 68W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 13A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | P-TO252-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SPD25N06S2-40 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 29A DPAK | 0 | Einzelheiten |