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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SPB80P06PGATMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 64A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 5.5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 173nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5033pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 340W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-3-2 |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SPB800-BCP1 | H&D Wireless AB | RF TXRX MODULE WIFI CHIP ANT | - | 11 | Einzelheiten |
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SPB80N03S2-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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SPB80N03S203GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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SPB80N03S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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SPB80N03S2L-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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SPB80N03S2L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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SPB80N03S2L-04 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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SPB80N03S2L-05 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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SPB80N03S2L-05 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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SPB80N03S2L-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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SPB80N03S2L-06 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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SPB80N03S2L05T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | 0 | Einzelheiten |