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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SPB160N04S203CTMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 160A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7320pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 80A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO263-7-3 |
| Paket / Fall | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SPB160100E3 | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 100V 160A SOT227 | 0 | Einzelheiten | |
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SPB160N04S203CTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7 | 0 | Einzelheiten | |
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SPB160N04S2L03DTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7 | 0 | Einzelheiten |