SPA03N60C3

MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220
SPA03N60C3 P1
SPA03N60C3 P1
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Infineon Technologies ~ SPA03N60C3

Artikelnummer
SPA03N60C3
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
SPA03N60C3.pdf SPA03N60C3 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer SPA03N60C3
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 135µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 29.7W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-FP
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack

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