PTAB182002TCV2R250XTMA1

IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
PTAB182002TCV2R250XTMA1 P1
PTAB182002TCV2R250XTMA1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ PTAB182002TCV2R250XTMA1

Artikelnummer
PTAB182002TCV2R250XTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer PTAB182002TCV2R250XTMA1
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 1.805GHz ~ 1.88GHz
Gewinnen 14.8dB
Spannung - Test 28V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 520mA
Leistung 29W
Spannung - Bewertet 65V
Paket / Fall H-49248H-4
Lieferantengerätepaket H-49248H-4

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