IRLZ34NS

MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
IRLZ34NS P1
IRLZ34NS P1
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Infineon Technologies ~ IRLZ34NS

Artikelnummer
IRLZ34NS
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRLZ34NS
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 880pF @ 25V
Vgs (Max) ±16V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 16A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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