IRLS3036TRLPBF

MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
IRLS3036TRLPBF P1
IRLS3036TRLPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLS3036TRLPBF

Artikelnummer
IRLS3036TRLPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLS3036TRLPBF.pdf IRLS3036TRLPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRLS3036TRLPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 195A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11210pF @ 50V
Vgs (Max) ±16V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 380W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 165A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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