IRLR3915PBF

MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
IRLR3915PBF P1
IRLR3915PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLR3915PBF

Artikelnummer
IRLR3915PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLR3915PBF.pdf IRLR3915PBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRLR3915PBF
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 92nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1870pF @ 25V
Vgs (Max) ±16V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 120W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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