IRLR3410TRRPBF

MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
IRLR3410TRRPBF P1
IRLR3410TRRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLR3410TRRPBF

Artikelnummer
IRLR3410TRRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLR3410TRRPBF.pdf IRLR3410TRRPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRLR3410TRRPBF
Teilstatus Not For New Designs
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 25V
Vgs (Max) ±16V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 79W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 105 mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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