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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRLMS5703TRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.7W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.6A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Micro6™(TSOP-6) |
| Paket / Fall | SOT-23-6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IRLMS1503TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP | 0 | Einzelheiten | |
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IRLMS1503TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP | 12000 | Einzelheiten | |
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IRLMS1902TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP | 0 | Einzelheiten | |
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IRLMS1902TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP | 48000 | Einzelheiten | |
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IRLMS2002 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.5A TSOP-6 | 0 | Einzelheiten | |
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IRLMS2002GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.5A 6TSOP | - | 0 | Einzelheiten |
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IRLMS2002TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP | 0 | Einzelheiten | |
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IRLMS2002TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP | 24000 | Einzelheiten | |
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IRLMS4502TR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 12V 5.5A 6-TSOP | 0 | Einzelheiten | |
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IRLMS5703TR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.3A 6-TSOP | 0 | Einzelheiten | |
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IRLMS5703TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP | 12000 | Einzelheiten | |
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IRLMS6702TR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP | 0 | Einzelheiten |