IRLML2502GTRPBF

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
IRLML2502GTRPBF P1
IRLML2502GTRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLML2502GTRPBF

Artikelnummer
IRLML2502GTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRLML2502GTRPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 740pF @ 15V
Vgs (Max) ±12V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.25W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket Micro3™/SOT-23
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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