Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRL5602SPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1460pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 75W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 12A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D2PAK |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRL510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IRL510A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRL510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IRL510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | - | 2316 | Einzelheiten |
 |
IRL510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IRL510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IRL510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IRL510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IRL510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IRL520 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IRL520L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IRL520LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-262 | - | 0 | Einzelheiten |