IRL3502PBF

MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
IRL3502PBF P1
IRL3502PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRL3502PBF

Artikelnummer
IRL3502PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRL3502PBF
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 7V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4700pF @ 15V
Vgs (Max) ±10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 140W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 64A, 7V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3

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