IRFSL4127PBF

MOSFET N-CH 200V 72A TO-262
IRFSL4127PBF P1
IRFSL4127PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFSL4127PBF

Artikelnummer
IRFSL4127PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 72A TO-262
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRFSL4127PBF.pdf IRFSL4127PBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRFSL4127PBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 72A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5380pF @ 50V
Vgs (Max) -
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 375W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 44A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-262
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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