Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IRFS4229TRLPBF

Artikelnummer	IRFS4229TRLPBF
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	45A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	110nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	4560pF @ 25V
Vgs (Max)	±30V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	330W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	48 mOhm @ 26A, 10V
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	D²PAK (TO-263AB)
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Auf Lager	Aussicht
IRFS4010-7PPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7	0	Einzelheiten
IRFS4010PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK	0	Einzelheiten
IRFS4010TRL7PP	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7	800	Einzelheiten
IRFS4010TRLPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK	7200	Einzelheiten
IRFS4010TRRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK	0	Einzelheiten
IRFS4020PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK	0	Einzelheiten
IRFS4020TRLPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK	0	Einzelheiten
IRFS4115-7PPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7	0	Einzelheiten
IRFS4115PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 195A D2-PAK	816	Einzelheiten
IRFS4115TRL7PP	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7	0	Einzelheiten
IRFS4115TRLPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK	2400	Einzelheiten
IRFS4127PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 200V 72A D2-PAK	1237	Einzelheiten