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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRFH8307TRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 42A (Ta), 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7200pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.3 mOhm @ 50A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-PQFN (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IRFH8201TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 100A PQFN | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH8202TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 100A PQFN | 4000 | Einzelheiten | |
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IRFH8303TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A PQFN | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH8307TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A PQFN | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH8311TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6 | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH8316TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6 | 4000 | Einzelheiten | |
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IRFH8318TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH8318TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN | 4000 | Einzelheiten | |
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IRFH8321TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6 | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH8324TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 18A 5X6 PQFN | 1600 | Einzelheiten | |
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IRFH8324TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH8325TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN | 0 | Einzelheiten |