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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRFH6200TRPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 49A (Ta), 100A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 150µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10890pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 0.95 mOhm @ 50A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PQFN (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFH6200TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN | 0 | Einzelheiten | |
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IRFH6200TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 45A 8-PQFN | 0 | Einzelheiten |