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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IRFH5220TR2PBF |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Ta), 20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1380pF @ 50V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 99.9 mOhm @ 5.8A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PQFN (5x6) |
Paket / Fall | 8-VQFN Exposed Pad |