IRFH4210DTRPBF

MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
IRFH4210DTRPBF P1
IRFH4210DTRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFH4210DTRPBF

Artikelnummer
IRFH4210DTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRFH4210DTRPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 44A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4812pF @ 13V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.1 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PQFN (5x6)
Paket / Fall 8-PowerTDFN

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