IRFH3702TRPBF

MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
IRFH3702TRPBF P1
IRFH3702TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFH3702TRPBF

Artikelnummer
IRFH3702TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRFH3702TRPBF.pdf IRFH3702TRPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRFH3702TRPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 16A (Ta), 42A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.8W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 7.1 mOhm @ 16A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (3x3)
Paket / Fall 8-PowerVDFN

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