IRFB5620PBF

MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
IRFB5620PBF P1
IRFB5620PBF P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IRFB5620PBF

Artikelnummer
IRFB5620PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRFB5620PBF.pdf IRFB5620PBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer IRFB5620PBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1710pF @ 50V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 144W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 72.5 mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3

Verwandte Produkte

Alle Produkte