IRFB31N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
IRFB31N20DPBF P1
IRFB31N20DPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRFB31N20DPBF

Artikelnummer
IRFB31N20DPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRFB31N20DPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 31A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 107nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2370pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 82 mOhm @ 18A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3

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