IRF9952PBF

MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
IRF9952PBF P1
IRF9952PBF P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Infineon Technologies ~ IRF9952PBF

Artikelnummer
IRF9952PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF9952PBF.pdf IRF9952PBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer IRF9952PBF
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ N and P-Channel
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.5A, 2.3A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO

Verwandte Produkte

Alle Produkte