Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRF8707GPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 11.9 mOhm @ 11A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRF8010PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRF8010SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRF8010STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRF8010STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRF8113 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRF8113GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRF8113GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRF8113PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRF8113TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRF8113TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
 |
IRF820 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 4A TO-220 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
IRF820A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB | - | 0 | Einzelheiten |