Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IRF8306MTR1PBF |
---|---|
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 23A (Ta), 140A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4110pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | Schottky Diode (Body) |
Verlustleistung (Max) | 2.1W (Ta), 75W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 23A, 10V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ MX |
Paket / Fall | DirectFET™ Isometric MX |