IRF7341GTRPBF

MOSFET N-CH 55V 5.1A
IRF7341GTRPBF P1
IRF7341GTRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF7341GTRPBF

Artikelnummer
IRF7341GTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 5.1A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF7341GTRPBF.pdf IRF7341GTRPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer IRF7341GTRPBF
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 5.1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V
Leistung max 2.4W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO

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