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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRF6616TR1PBF |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 19A (Ta), 106A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3765pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 19A, 10V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ MX |
| Paket / Fall | DirectFET™ Isometric MX |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IRF6601 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6603TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6604TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6607 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6607TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6608 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6608TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6609 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6609TR1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | 0 | Einzelheiten | |
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IRF6609TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 31A DIRECTFET | 0 | Einzelheiten |