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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IRF6614 |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12.7A (Ta), 55A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2560pF @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 12.7A, 10V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | DIRECTFET™ ST |
Paket / Fall | DirectFET™ Isometric ST |