IRF5810

MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
IRF5810 P1
IRF5810 P2
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IRF5810 P2
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Infineon Technologies ~ IRF5810

Artikelnummer
IRF5810
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer IRF5810
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 2.9A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 16V
Leistung max 960mW
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket 6-TSOP

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