Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IRF5805 |
---|---|
Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3.8A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 511pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 98 mOhm @ 3.8A, 10V |
Betriebstemperatur | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | Micro6™(TSOP-6) |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |