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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRF5210LPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2780pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.1W (Ta), 170W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 38A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-262 |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IRF510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | - | 0 | Einzelheiten |
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IRF510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | - | 0 | Einzelheiten |
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IRF510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | - | 8110 | Einzelheiten |
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IRF510S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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IRF510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 4528 | Einzelheiten |
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IRF510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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IRF510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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IRF510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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IRF510STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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IRF520 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 10A TO-220 | 0 | Einzelheiten | |
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IRF520N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB | 0 | Einzelheiten | |
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IRF520NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-262 | 0 | Einzelheiten |