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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRF3205LPBF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 55V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 146nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3247pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 200W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 62A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-262 |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IRF3000 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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IRF3000PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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IRF3007SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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IRF3007STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 75V 62A D2PAK | 0 | Einzelheiten | |
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IRF300P226 | Infineon Technologies | MOSFET IFX OPTIMOS TO247 | - | 0 | Einzelheiten |
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IRF300P227 | Infineon Technologies | MOSFET IFX OPTIMOS TO247 | 0 | Einzelheiten | |
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IRF3205L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 110A TO-262 | 0 | Einzelheiten | |
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IRF3205LPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 110A TO-262 | 1776 | Einzelheiten | |
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IRF3205PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB | 7392 | Einzelheiten | |
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IRF3205SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK | 64 | Einzelheiten | |
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