IR2112-1PBF

IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP
IR2112-1PBF P1
IR2112-1PBF P1
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Infineon Technologies ~ IR2112-1PBF

Artikelnummer
IR2112-1PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IR2112-1PBF.pdf IR2112-1PBF PDF online browsing
Familie
PMIC - Gate-Treiber
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Artikelnummer IR2112-1PBF
Teilstatus Obsolete
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge
Kanaltyp Independent
Anzahl der Treiber 2
Tortyp IGBT, N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung 10 V ~ 20 V
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V
Aktuell - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 250mA, 500mA
Eingabetyp Non-Inverting
Hohe Seitenspannung - Max (Bootstrap) 600V
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 80ns, 40ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall 14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads
Lieferantengerätepaket 14-PDIP

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