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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IPW65R280E6FKSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 13.8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 4.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 100V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 104W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PG-TO247-3 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 | 482 | Einzelheiten | |
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IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3 | 325 | Einzelheiten | |
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IPW65R041CFD | Infineon Technologies | MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 | - | 1099 | Einzelheiten |
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IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 | - | 4564 | Einzelheiten |
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IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | HIGH POWERLEGACY | - | 6370 | Einzelheiten |
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IPW65R045C7300XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 | - | 6828 | Einzelheiten |
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IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-3 | - | 2711 | Einzelheiten |
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IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 | 173 | Einzelheiten | |
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IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 | 0 | Einzelheiten | |
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IPW65R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247 | - | 5976 | Einzelheiten |
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IPW65R080CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 43.3A TO247 | - | 1053 | Einzelheiten |